Photodétecteur à gain ajustable ROF Si
Fonctionnalité
Gamme spectrale : 320 nm à 1100 nm
Bande passante à -3 dB : jusqu'à 11 MHz
l Réglage du gain maximal : 4,75×106 V/A (charge à haute impédance)
l Faible bruit
l Entrée de couplage optique spatial, couplage par fibre optionnel
Application
Détection de faible luminosité
l Système de détection par fibre optique
l Communication optique spatiale
Informations de commande
| Modèle Paramètre | ROF-PR-11M-B | ROF-PR-13M-A |
| Fréquence de réponse | DC-11 MHz | DC-13 MHz |
| Taper | Silicium (Si) | Arséniure d'indium-gallium (InGaAs) |
| Sensibilité à la lumière 1 | 320 nm à 1100 nm | 900 nm à 1700 nm |
| Zone photosensible | Ø9,8 mm (75,4 mm)2 ) | Ø1,0 mm (0,8 mm)2 ) |
Remarque 1 : Valeur approximative ; la longueur d’onde réelle peut varier.
Paramètres
| Spécifications de performance 2 (KG-PR-11M-B) | |||
| 0 dB paramètre | 40 dB paramètre | ||
| Gain (haute résistance > 5 kΩ) | 1,50 x 103V/A ±2% | Gain (haute résistance > 5 kΩ) | 1,50 x 105V/A ±2% |
| Gain (50 Ω) | 0,75 x 103V/A ±2% | Gain (50 Ω) | 0,75 x 105V/A ±2% |
| Bande passante à 3 dB 3 | 11 MHz | Bande passante de 3 dB | 150K |
| Bruit (RMS) | 400 µV | Bruit (RMS) | 500 µV |
| biais | ±8 mV (Typ.) ±20 mV (Max.) | biais | ±8 mV (Typ.) ±20 mV (Max.) |
| 10 dB paramètre | 50 dB paramètre | ||
| Gain (haute résistance > 5 kΩ) | 4,75 x 103V/A ±2% | Gain (haute résistance > 5 kΩ) | 4,75 x 105V/A ±2% |
| Gain (50 Ω) | 2,38 x 103V/A ±2% | Gain (50 Ω) | 2,38 x 105V/A ±2% |
| Bande passante de 3 dB | 1,4 MHz | Bande passante de 3 dB | 50K |
| Bruit (RMS) | 350 µV | Bruit (RMS) | 520 µV |
| biais | ±8 mV (Typ.) ±20 mV (Max.) | biais | ±8 mV (Typ.) ±20 mV (Max.) |
| 20 dB paramètre | 60 dB paramètre | ||
| Gain (haute résistance > 5 kΩ) | 1,50 x 104V/A ±2% | Gain (haute résistance > 5 kΩ) | 1,50 x 106V/A ±2% |
| Gain (50 Ω) | 0,75 x 104V/A ±2% | Gain (50 Ω) | 0,75 x 106V/A ±2% |
| Bande passante de 3 dB | 1,0 MHz | Bande passante de 3 dB | 20K |
| Bruit (RMS) | 380 µV | Bruit (RMS) | 760 µV |
| biais | ±8 mV (Typ.) ±20 mV (Max.) | biais | ±8 mV (Typ.) ±20 mV (Max.) |
| 30 dB paramètre | 70 dB paramètre | ||
| Gain (haute résistance > 5 kΩ) | 4,75 x 104V/A ±2% | Gain (haute résistance > 5 kΩ) | 4,75 x 106V/A ±2% |
| Gain (50 Ω) | 2,38 x 104V/A ±2% | Gain (50 Ω) | 2,38 x 106V/A ±2% |
| Bande passante de 3 dB | 400K | Bande passante de 3 dB | 10K |
| Bruit (RMS) | 380 µV | Bruit (RMS) | 1,43 mV |
| biais | ±8 mV (Typ.) ±20 mV (Max.) | biais | ±8 mV (Typ.) ±20 mV (Max.) |
Note 2 :ROFLe PR-11M-B est équipé d'une résistance de terminaison série de 50 Ω (c'est-à-dire connectée en série avec la sortie de l'amplificateur). Ceci forme un diviseur de tension avec n'importe quelle impédance de charge (par exemple, une charge de 50 Ω divisant le signal en deux).
Remarque 3 : Effectuez le test à une longueur d’onde de 850 nm. Pour les longueurs d’onde proches de l’infrarouge, le temps de montée des composants de la photodiode sera plus long, ce qui peut limiter la bande passante effective du détecteur d’amplification.
Paramètres généraux
| Projet | sym | valeur |
| Type de détecteur | - | Si |
| Surface photosensible | - | Ø9,8 mm (75,4 mm)2 ) |
| Longueur d'onde maximale | λp | 960 nm (Typ.) |
| Réponse maximale | (λ p) | 0,72 A/W (Typ.) |
| impédance de sortie | - | 50Ω |
| Amplitude maximale du courant de sortie | Imax | 100 mA |
| Amplitude maximale de la tension de sortie | Vmax | 10,00 V à haute impédance ; 5,00 V à 50 Ω de charge |
| Plage de charge | - | >50 Ω |
| Plage de réglage du gain | - | 0 dB à 70 dB |
| Gain step | - | 10 dB |
| Interrupteur d'alimentation | - | côté |
| Commutateur de gain | - | 8ème vitesse |
| Sortir | - | SMA (couplage CC) |
| Dimensions du produit | - | 66,6 mm × 52,2 mm × 22,4 mm |
| profondeur de surface PD 4 | - | 6,1 mm |
| Poids (accessoires exclus) | - | 70 g |
| Accessoires | - | Accouplement SM1T1, anneau de retenue SM1RR |
| Alimentation électrique | - | Adaptateur secteur AC-DC ± 12 V |
| puissance d'alimentation | - | 6 W 100 V/120 V/230 V, 50-60 Hz |
Remarque 4 : La hauteur approximative entre la surface de la structure du boîtier et la surface de la photodiode peut entraîner des erreurs d'installation en pratique.
condition limitative
| Paramètre | sym | Unité | Min | Typique | Max |
| puissance optique d'entrée | Épingle | mW | - | - | 25 |
| Tension de fonctionnement | Vop | V | ±10,8 | ±12 | ±13,2 |
| Température de fonctionnement | Haut | °C | -10 | - | 60 |
| température de stockage | Tst | °C | -40 | - | 85 |
| humidité | RH | % | 5 | - | 90 |
Courbe
Courbe caractéristique
ROFDiagramme de réponse de sensibilité PR-11M-B
Dimensions de l'emballage (mm)
À propos de nous
Rofea Optoelectronics présente une large gamme de produits électro-optiques, notamment des modulateurs, des photodétecteurs, des sources laser, des lasers DFB, des amplificateurs optiques, des EDFA, des lasers SLD, la modulation QPSK, des lasers pulsés, des photodétecteurs, des photodétecteurs équilibrés, des lasers semi-conducteurs, des pilotes laser, des coupleurs de fibres, des lasers pulsés, des amplificateurs à fibre, des wattmètres optiques, des lasers à large bande, des lasers accordables, des retards optiques, des modulateurs électro-optiques, des photodétecteurs, des pilotes de diodes laser, des amplificateurs à fibre, des amplificateurs à fibre dopée à l'erbium et des lasers sources.
Nous fournissons également des modulateurs personnalisés, notamment des modulateurs de phase à réseau 1*4, des modulateurs à Vpi ultra-faible et à taux d'extinction ultra-élevé, spécialement conçus pour les universités et les instituts de recherche.
Ces produits présentent une bande passante électro-optique allant jusqu'à 40 GHz, une gamme de longueurs d'onde de 780 nm à 2000 nm, une faible perte d'insertion, une faible tension de crête (Vp) et un PER élevé, ce qui les rend adaptés à une variété de liaisons RF analogiques et d'applications de communication à haut débit.
Rofea Optoelectronics propose une gamme de produits commerciaux comprenant des modulateurs électro-optiques, des modulateurs de phase, des modulateurs d'intensité, des photodétecteurs, des sources laser, des lasers DFB, des amplificateurs optiques, des EDFA, des lasers SLD, des modules QPSK, des lasers pulsés, des détecteurs de lumière, des photodétecteurs équilibrés, des drivers laser, des amplificateurs à fibre optique, des wattmètres optiques, des lasers à large bande, des lasers accordables, des détecteurs optiques, des drivers de diodes laser et des amplificateurs à fibre. Nous proposons également des modulateurs spécifiques personnalisables, tels que des matrices de modulateurs de phase 1×4, des modulateurs à très faible Vpi et à très haut taux d'extinction, principalement utilisés dans les universités et les instituts de recherche.
Nous espérons que nos produits vous seront utiles dans vos recherches.
