Modulateur d'intensité Rof, modulateur en couche mince de niobate de lithium 40G TFLN

Modulateur d'intensité Rof à couche mince de niobate de lithium 40G TFLN (Image mise en avant)

Description courte :

Le matériau en couche mince de niobate de lithium sur isolant (LNOI) hérite des excellentes propriétés électro-optiques du niobate de lithium massif, offrant une solution novatrice pour les puces de modulateurs électro-optiques à haut débit, intégrables, miniaturisées et à haut rendement de modulation. Nous avons développé un modulateur électro-optique en couche mince de LiNbO₃ à large bande et faible tension de demi-onde, basé sur le matériau LNOI. Notre produit présente d'excellentes caractéristiques de stabilité élevée, de faibles pertes d'insertion et de taille réduite, ce qui le rend plus avantageux que les modulateurs traditionnels en niobate de lithium massif et lui confère de larges perspectives d'application dans les domaines des communications optiques à haut débit et de la photonique micro-ondes.

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Détails du produit

Rofea Optoelectronics propose des modulateurs électro-optiques et optiques.

Étiquettes de produit

Fonctionnalité

Bande passante élevée, faibles pertes, faible tension de commande, dimensions réduites, grande stabilité

Champ

Communication optique à haut débit, photonique micro-ondes, radar, etc.

Modulateur d'intensité Rof EOM 20G, modulateur en niobate de lithium à couche mince TFLN

Paramètre

Paramètre	Sym	indicateur	Unité
longueur d'onde de travail	λ	1530~1565	nm
perte d'insertion optique	IL	≤ 5,5 (Typ 4,5)	dB
rapport d'extinction	ER	≥ 25	dB
perte de retour optique	RL	≤ -30	dB
Puissance optique d'entrée maximale	P_in	≤ 200	mW
Bande passante de modulation électro-optique (3 dB, à partir de 2 GHz)	BW	≥ 40	GHz
Tension de demi-onde RF à 50 kHz	Vπ	≤ 3,5	V
Réflexion RF	S₁₁	≤ -10	dB
Puissance d'entrée RF maximale	S_in	≤ 25	dBm
Puissance de demi-onde de polarisation thermique	Pπ	50	mW
Tension de polarisation thermique	U_chauffage	< 8	V
Température de fonctionnement	T_O	-55~85	℃
température de stockage	T_S	-55~85	℃

Informations sur la commande

Sym	Ddescription	Paramètre optionnel
λ	longueur d'onde de travail	C (~1550 nm)，O (~1310 nm)
BW	Bande passante de 3 dB	40 (40 GHz)
PD	Surveillance de la maladie de Parkinson	1 (intégré), 0 (non intégré)
IF	Fibre optique d'entrée	P (fibre à maintien de polarisation)
OF	fibre optique de sortie	P (fibre à maintien de polarisation), S (fibre monomode standard)
S	tension de demi-onde	Norme S

Définition de la taille de l'emballage et des broches

Pen définition :

Spoint de suture	Fonction
RF	Entrée RF, connecteur femelle 1,85 mm
A	Électrode de polarisation thermostatique (positive et négative)
B	Électrode de polarisation thermostatique
C	Électrode de polarisation de réglage thermique de secours
D	Électrode de polarisation de réglage thermique de secours

Précédent: Modulateur de phase électro-optique haute vitesse 2 µm Rof 2000 nm

Suivant: Photodétecteur à gain ajustable ROF Si

Rofea Optoelectronics propose une gamme de produits commerciaux comprenant des modulateurs électro-optiques, des modulateurs de phase, des modulateurs d'intensité, des photodétecteurs, des sources laser, des lasers DFB, des amplificateurs optiques, des EDFA, des lasers SLD, des modules QPSK, des lasers pulsés, des détecteurs de lumière, des photodétecteurs équilibrés, des drivers laser, des amplificateurs à fibre optique, des wattmètres optiques, des lasers à large bande, des lasers accordables, des détecteurs optiques, des drivers de diodes laser et des amplificateurs à fibre. Nous proposons également des modulateurs spécifiques personnalisables, tels que des matrices de modulateurs de phase 1×4, des modulateurs à très faible Vpi et à très haut taux d'extinction, principalement utilisés dans les universités et les instituts de recherche.
Nous espérons que nos produits vous seront utiles dans vos recherches.

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